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52589M29F200BB50N3-Bild.STMicroelectronics

M29F200BB50N3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    M29F200BB50N3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    50ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    2Mb (256K x 8, 128K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 2Mb (256K x 8, 128K x 16) Parallel 50ns 48-TSOP
  • Basisteilenummer
    M29F200B
  • Zugriffszeit
    50ns
9T04021A1870CBHF3

9T04021A1870CBHF3

Beschreibung: RES SMD 187 OHM 0.25% 1/16W 0402

Hersteller: Yageo
vorrätig

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