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344011BYW51G-200-Bild.STMicroelectronics

BYW51G-200

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BYW51G-200
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    850mV @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 10A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    15µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    10A
  • Basisteilenummer
    BYW51-200
SIT9005AIR1D-30NN

SIT9005AIR1D-30NN

Beschreibung: OSC MEMS

Hersteller: SiTime
vorrätig

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