RJK2006DPE-00#J3

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Spezifikation

Artikelnummer

RJK2006DPE-00#J3
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RJK2006DPE-00#J3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

4-LDPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

100W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-83
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 40A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Ta)

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Das Folgende sind "RJK2006DPE-00#J3" -Einziper.

RJK1056DPB-00#J5

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

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