RJK0451DPB-00#J5

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Spezifikation

Artikelnummer

RJK0451DPB-00#J5
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RJK0451DPB-00#J5.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (max)

45W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669
Andere Namen

RJK0451DPB-00#J5CT
RJK0451DPB00J5
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2010pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 35A (Ta) 45W (Tc) Surface Mount LFPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

35A (Ta)

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "RJK0451DPB-00#J5" -Einziper.

RJK03M5DNS-00#J5

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A HWSON

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

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