NP60N055KUG-E1-AY

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Spezifikation

Artikelnummer

NP60N055KUG-E1-AY
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 60A TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NP60N055KUG-E1-AY.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta), 88W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 60A (Tc) 1.8W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NP60N055KUG-E1-AY" -Einziper.

RND030N20TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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