NP23N06YDG-E1-AY

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Spezifikation

Artikelnummer

NP23N06YDG-E1-AY
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NP23N06YDG-E1-AY.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-HSON
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 11.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta), 60W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Andere Namen

NP23N06YDG-E1-AY-ND
NP23N06YDG-E1-AYTR
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 23A (Tc) 1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Tc)

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NP23N06YDG-E1-AY" -Einziper.

NP2600SBT3G

Beschreibung: THYRISTOR 220V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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