N0604N-S19-AY

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Spezifikation

Artikelnummer

N0604N-S19-AY
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 82A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

N0604N-S19-AY.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220 Isolated Tab
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 41A, 10V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta), 156W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Isolated Tab
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4150pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 82A (Ta) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

82A (Ta)

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N062-012-KJ

Beschreibung: 12-PORT 1U RACK-MOUNT BLANK KEYS

Hersteller: Tripp Lite

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