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4303059UNR521K00L-Bild.Panasonic

UNR521K00L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UNR521K00L
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bestandsbestätigung anfordern / Bestandsüberprüfung anfordern
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMini3-G1
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    UN521K
    UN521KCT
    UN521KCT-ND
    UNR521K00LCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Request inventory verification / Request inventory verification
  • Frequenz - Übergang
    150MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    20 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
MS27502B17N

MS27502B17N

Beschreibung: CONN BACKSHELL

Hersteller: Amphenol Pcd
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