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UNR511400L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UNR511400L
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMini3-G1
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    UN5114
    UN5114CT
    UN5114CT-ND
    UNR511400LCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenz - Übergang
    80MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
UNR5111G0L

UNR5111G0L

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Hersteller: Panasonic
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UNR511600L

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UNR511100L

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UNR5113G0L

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UNR422400A

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