PUMH10Z

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Spezifikation

Artikelnummer

PUMH10Z
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PUMH10/SOT363/SC-88
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

PUMH10Z.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-363
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

934056189165
Befestigungsart

Surface Mount
Frequenz - Übergang

230MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "PUMH10Z" -Einziper.

PUMH11F

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC-88

Hersteller: Nexperia

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