PSMN6R3-120PS

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN6R3-120PS
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PSMN6R3-120PS.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

405W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

1727-1060
568-10168-5
568-10168-5-ND
934067189127
PSMN6R3120PS
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11384pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

207.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

120V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 120V 70A (Tc) 405W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

70A (Tc)

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Das Folgende sind "PSMN6R3-120PS" -Einziper.

PSMN6R0-30YL,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK

Hersteller: Nexperia

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