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PSMN1R9-40PLQ

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN1R9-40PLQ
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 150A SOT78
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PSMN1R9-40PLQ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

349W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

1727-1851
568-11542
568-11542-ND
934067498127
934067606127
PSMN1R9-40PLQ-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 150A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

150A (Tc)

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Das Folgende sind "PSMN1R9-40PLQ" -Einziper.

PSMN1R7-25YLC,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

PSMN1R9-40PLQ

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