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PSMN102-200Y,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN102-200Y,115
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PSMN102-200Y,115.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK56, Power-SO8
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

102 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)

113W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Andere Namen

1727-5227-2
568-6544-2
568-6544-2-ND
934061323115
PSMN102-200Y T/R
PSMN102-200Y T/R-ND
PSMN102-200Y,115-ND
PSMN102200Y115
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1568pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

21.5A (Tc)

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PSMN102-200Y,115" -Einziper.

PSMN130-200D,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK

Hersteller: Nexperia

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