PSMN015-100YLX

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Spezifikation

Artikelnummer

PSMN015-100YLX
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V LFPAK56
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PSMN015-100YLX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK56, Power-SO8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.7 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

195W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Andere Namen

1727-2591-2
568-13042-2-ND
934069904115
PSMN015-100YL,115
PSMN015-100YLX-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6139pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 69A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

69A (Tc)

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2024/10/9

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PSMN013-60YLX

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V LFPAK56

Hersteller: Nexperia

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