PMXB360ENEAZ

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Spezifikation

Artikelnummer

PMXB360ENEAZ
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PMXB360ENEAZ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DFN1010D-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 1.1A, 10V
Verlustleistung (max)

400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

3-XDFN Exposed Pad
Andere Namen

1727-1474-6
568-10945-6
568-10945-6-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.1A (Ta)

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PMXB360ENEAZ" -Einziper.

PMXB65ENEZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN

Hersteller: Nexperia

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