Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > PMV130ENEAR
Online-Anfrage
Deutsch
357130PMV130ENEAR-Bild.Nexperia

PMV130ENEAR

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
5+
$0.137
50+
$0.107
150+
$0.094
500+
$0.079
3000+
$0.069
6000+
$0.064
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    PMV130ENEAR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-236AB (SOT23)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    460mW (Ta), 5W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    1727-2299-2
    568-12585-2
    568-12585-2-ND
    934067623215
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    170pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 2.1A (Ta) 460mW (Ta), 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.1A (Ta)

Überblick

PMV130ENEAR Überblick

PMV130ENEAR N-Kanal-MOSFET |Futuretech-Komponenten


Der PMV130ENEAR ist ein kompakter, hocheffizienter N-Kanal-Trench-MOSFET von Nexperia, der für Lastschalt- und DC/DC-Wandleranwendungen entwickelt wurde.Mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltgeschwindigkeit bietet es eine hervorragende thermische Leistung und Energieeffizienz.Ab sofort bei Futuretech Components erhältlich und gewährleistet verifizierte Beschaffung und zuverlässige Qualität.


PMV130ENEAR FAQ

Was ist PMV130ENEAR?

Der PMV130ENEAR ist ein von Nexperia hergestellter N-Kanal-Anreicherungs-Trench-MOSFET.Es liefert einen niedrigen RDS(ein) von etwa 50 mΩ bei VGS=4,5 V, unterstützt einen Drain-Strom von bis zu 3,3 A und arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung (V).DS) von 30V.Sein kleines SOT-23-Gehäuse ermöglicht eine effiziente Nutzung des Platinenplatzes bei gleichzeitiger Beibehaltung einer hervorragenden elektrischen Leistung.

Wie funktioniert PMV130ENEAR?

Dieser MOSFET fungiert als effizienter elektronischer Schalter.Wenn eine positive Gate-Spannung angelegt wird, bildet sie einen leitenden Kanal zwischen Drain und Source, sodass der Strom mit minimalem Widerstand fließen kann.Seine niedrige Gate-Ladung (~6 nC) ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschaltungen, ideal für Energiemanagement und tragbare Elektronik.


Welches Gehäuse und welche Pin-Konfiguration hat der PMV130ENEAR?

Der PMV130ENEAR wird im SOT-23-Gehäuse (Surface-Mount) mit den folgenden Pins geliefert:
Gate (G) – Steuert den Leitungskanal
Drain (D) – Anschluss an die Last oder den Ausgang
Quelle (S) – Erdung oder Rückweg
Diese Konfiguration unterstützt kompakte PCB-Layouts und eine effiziente Wärmeableitung.

Was sind die Vorteile und Einschränkungen von PMV130ENEAR?

Vorteile:
Niedriges RDS(ein) für minimalen Leitungsverlust
Schnelles Schalten mit geringer Gate-Ladung
Kompaktes SOT-23-Gehäuse
Kompatibilität mit Gate-Antrieben auf Logikebene
Hoher Wirkungsgrad in Niederspannungskreisen

Nachteile:
Begrenzt auf ~3,3 A Drainstrom
Nicht für Hochspannungsanwendungen geeignet
Erfordert eine ausreichende Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Welche Alternativen gibt es zu PMV130ENEAR?

Zu den alternativen N-Kanal-MOSFETs gehören:
IRLML6344 (Infineon)
Si2302DS (Vishay)
BSS138 (ON Semiconductor)
FDN306P (ON Semiconductor)
Diese Optionen bieten vergleichbare Leistung und Pin-Kompatibilität.

Was sind die häufigsten Anwendungen von PMV130ENEAR?

Der PMV130ENEAR wird häufig in DC/DC-Wandlern, Lastschaltern, Batteriemanagementschaltungen, tragbaren Elektronikgeräten und LED-Treiberdesigns verwendet.Seine kompakte Größe, hohe Effizienz und Zuverlässigkeit machen es ideal für moderne Niederspannungs- und Hochfrequenzanwendungen.

Abschluss

Verifizierte und authentische PMV130ENEAR-MOSFETs erhalten Sie direkt von Futuretech Components – Ihrem vertrauenswürdigen Distributor hochwertiger elektronischer Komponenten mit globaler Lieferzuverlässigkeit.Futuretech Components bietet eine schnelle Lieferung in ganz Südostasien, Europa und Nordamerika.

PMV130ENEAR Überblick

PMV130ENEAR N-Kanal-MOSFET |Futuretech-Komponenten


Der PMV130ENEAR ist ein kompakter, hocheffizienter N-Kanal-Trench-MOSFET von Nexperia, der für Lastschalt- und DC/DC-Wandleranwendungen entwickelt wurde.Mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltgeschwindigkeit bietet es eine hervorragende thermische Leistung und Energieeffizienz.Ab sofort bei Futuretech Components erhältlich und gewährleistet verifizierte Beschaffung und zuverlässige Qualität.


PMV130ENEAR FAQ

Was ist PMV130ENEAR?

Der PMV130ENEAR ist ein von Nexperia hergestellter N-Kanal-Anreicherungs-Trench-MOSFET.Es liefert einen niedrigen RDS(ein) von etwa 50 mΩ bei VGS=4,5 V, unterstützt einen Drain-Strom von bis zu 3,3 A und arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung (V).DS) von 30V.Sein kleines SOT-23-Gehäuse ermöglicht eine effiziente Nutzung des Platinenplatzes bei gleichzeitiger Beibehaltung einer hervorragenden elektrischen Leistung.

Wie funktioniert PMV130ENEAR?

Dieser MOSFET fungiert als effizienter elektronischer Schalter.Wenn eine positive Gate-Spannung angelegt wird, bildet sie einen leitenden Kanal zwischen Drain und Source, sodass der Strom mit minimalem Widerstand fließen kann.Seine niedrige Gate-Ladung (~6 nC) ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschaltungen, ideal für Energiemanagement und tragbare Elektronik.


Welches Gehäuse und welche Pin-Konfiguration hat der PMV130ENEAR?

Der PMV130ENEAR wird im SOT-23-Gehäuse (Surface-Mount) mit den folgenden Pins geliefert:
Gate (G) – Steuert den Leitungskanal
Drain (D) – Anschluss an die Last oder den Ausgang
Quelle (S) – Erdung oder Rückweg
Diese Konfiguration unterstützt kompakte PCB-Layouts und eine effiziente Wärmeableitung.

Was sind die Vorteile und Einschränkungen von PMV130ENEAR?

Vorteile:
Niedriges RDS(ein) für minimalen Leitungsverlust
Schnelles Schalten mit geringer Gate-Ladung
Kompaktes SOT-23-Gehäuse
Kompatibilität mit Gate-Antrieben auf Logikebene
Hoher Wirkungsgrad in Niederspannungskreisen

Nachteile:
Begrenzt auf ~3,3 A Drainstrom
Nicht für Hochspannungsanwendungen geeignet
Erfordert eine ausreichende Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Welche Alternativen gibt es zu PMV130ENEAR?

Zu den alternativen N-Kanal-MOSFETs gehören:
IRLML6344 (Infineon)
Si2302DS (Vishay)
BSS138 (ON Semiconductor)
FDN306P (ON Semiconductor)
Diese Optionen bieten vergleichbare Leistung und Pin-Kompatibilität.

Was sind die häufigsten Anwendungen von PMV130ENEAR?

Der PMV130ENEAR wird häufig in DC/DC-Wandlern, Lastschaltern, Batteriemanagementschaltungen, tragbaren Elektronikgeräten und LED-Treiberdesigns verwendet.Seine kompakte Größe, hohe Effizienz und Zuverlässigkeit machen es ideal für moderne Niederspannungs- und Hochfrequenzanwendungen.

Abschluss

Verifizierte und authentische PMV130ENEAR-MOSFETs erhalten Sie direkt von Futuretech Components – Ihrem vertrauenswürdigen Distributor hochwertiger elektronischer Komponenten mit globaler Lieferzuverlässigkeit.Futuretech Components bietet eine schnelle Lieferung in ganz Südostasien, Europa und Nordamerika.
PMV2-3FB-3K

PMV2-3FB-3K

Beschreibung: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU

Hersteller: Panduit
vorrätig
PMV2-3RB-3K

PMV2-3RB-3K

Beschreibung: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP

Hersteller: Panduit
vorrätig
PMV170UN,215

PMV170UN,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PMV160UP,215

PMV160UP,215

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMV160UPVL

PMV160UPVL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMV16UN,215

PMV16UN,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PMV120ENEAR

PMV120ENEAR

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMV100XPEAR

PMV100XPEAR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMV117EN,215

PMV117EN,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PMV1-6RB-CY

PMV1-6RB-CY

Beschreibung: CONN RING CIRC 18-22AWG M6 CRIMP

Hersteller: Panduit
vorrätig
PMV2-3FB-C

PMV2-3FB-C

Beschreibung: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU

Hersteller: Panduit
vorrätig
PMV1216GY

PMV1216GY

Beschreibung: POLE MOUNT KIT PMK SERIES

Hersteller: Hammond Manufacturing
vorrätig
PMV2-35RB-3K

PMV2-35RB-3K

Beschreibung: CONN RING CIRC 14-16AWG M3.5

Hersteller: Panduit
vorrätig
PMV1-P12B-3K

PMV1-P12B-3K

Beschreibung: CONN WIRE PIN TERM 18-20AWG

Hersteller: Panduit
vorrätig
PMV16XNR

PMV16XNR

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMV185XN,215

PMV185XN,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PMV100ENEAR

PMV100ENEAR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMV130ENEA/DG/B2R

PMV130ENEA/DG/B2R

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
PMV1-P10-CY

PMV1-P10-CY

Beschreibung: CONN WIRE PIN TERM 18-20AWG

Hersteller: Panduit
vorrätig
PMV1-6RB-XY

PMV1-6RB-XY

Beschreibung: CONN RING CIRC 18-22AWG M6 CRIMP

Hersteller: Panduit
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden