PMFPB8040XP,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PMFPB8040XP,115
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PMFPB8040XP,115.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-HUSON-EP (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Verlustleistung (max)

485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen

1727-1352-2
568-10789-2
568-10789-2-ND
934066584115
PMFPB8040XP,115-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 2.7A (Ta) 485mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.7A (Ta)

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2024/10/9

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PMF370XN,115

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia

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