PMDPB56XNEAX

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Spezifikation

Artikelnummer

PMDPB56XNEAX
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PMDPB56XNEAX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

DFN2020D-6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Leistung - max

485mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen

1727-2690-2
568-13209-2
568-13209-2-ND
934069878115
PMDPB56XNEAX-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

256pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A (Ta) 485mW (Ta) Surface Mount DFN2020D-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.1A (Ta)

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Das Folgende sind "PMDPB56XNEAX" -Einziper.

PMDPB65UP,115

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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