PIMD2,125

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Spezifikation

Artikelnummer

PIMD2,125
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PIMD2,125.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

600mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-74, SOT-457
Andere Namen

934057905125
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 600mW Surface Mount 6-TSOP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

60 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

MD2

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Das Folgende sind "PIMD2,125" -Einziper.

C327C121KAG5TA7301

Beschreibung: CAP CER 120PF 250V C0G/NP0 RAD

Hersteller: KEMET

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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