PEMD19,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PEMD19,115
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PEMD19,115.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-666
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

-
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

934058924115
PEMD19 T/R
PEMD19 T/R-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "PEMD19,115" -Einziper.

GA0805Y103JBXBR31G

Beschreibung: CAP CER 10000PF 25V X7R 0805

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

ISDF-41-S

Beschreibung: .050[1.27] DISCRETE WIRE INSULAT

Hersteller: Samtec, Inc.

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2025/05/20

5.0

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