2000987

PEMB1,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PEMB1,115
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PEMB1,115.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-666
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

934056869115
PEMB1 T/R
PEMB1 T/R-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

60 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

MB1

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Das Folgende sind "PEMB1,115" -Einziper.

ATS-14B-35-C2-R0

Beschreibung: HEATSINK 36.83X57.6X5.84MM T766

Hersteller: Advanced Thermal Solutions, Inc.

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RFQ

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Stal***e

2025/05/20

5.0

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