PDTC123JQAZ

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTC123JQAZ
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTC123JQAZ.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

DFN1010D-3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

280mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-XDFN Exposed Pad
Andere Namen

934069138147
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

230MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 280mW Surface Mount DFN1010D-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Zahlungsmittel

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

2024/10/9

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Das Folgende sind "PDTC123JQAZ" -Einziper.

PDTC123TM,315

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

Hersteller: Nexperia

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