PDTC123ETVL

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTC123ETVL
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

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Beschreibung

PDTC123ET/SOT23/TO-236AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTC123ETVL.pdf
ECAD -Modell
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

TO-236AB
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

934054697235
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 100mA Surface Mount TO-236AB
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "PDTC123ETVL" -Einziper.

SI5338C-B04665-GMR

Beschreibung: I2C CONTROL, 4-OUTPUT, ANY FREQU

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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