PDTC114YTVL

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTC114YTVL
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PDTC114YT/SOT23/TO-236AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTC114YTVL.pdf
ECAD -Modell
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

TO-236AB
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

934054701235
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

230MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 100mA 230MHz Surface Mount TO-236AB
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "PDTC114YTVL" -Einziper.

PDTC115EMB,315

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

Hersteller: Nexperia

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