PBSS5112PAP,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PBSS5112PAP,115
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PBSS5112PAP,115.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

480mV @ 100mA, 1A
Transistor-Typ

2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

6-HUSON-EP (2x2)
Serie

-
Leistung - max

510mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen

1727-1077-1
568-10205-1
568-10205-1-ND
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

50 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

1A
Basisteilenummer

PBSS5112

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PBSS5112PAP,115" -Einziper.

PBSS5140S,126

Beschreibung: TRANS PNP 40V 1A SOT54

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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