PBSS4350SSJ

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Spezifikation

Artikelnummer

PBSS4350SSJ
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PBSS4350SSJ.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

340mV @ 270mA, 2.7A
Transistor-Typ

2 NPN (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Leistung - max

750mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

1727-1197-2
568-10383-2
568-10383-2-ND
934061031118
PBSS4350SSJ-ND
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 2.7A 750mW Surface Mount 8-SO
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

300 @ 1A, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

2.7A
Basisteilenummer

PBSS4350SS

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Das Folgende sind "PBSS4350SSJ" -Einziper.

PBSS4350D,125

Beschreibung: TRANS NPN 50V 3A 6TSOP

Hersteller: Nexperia

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