2220204

BUK7Y9R9-80EX

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Spezifikation

Artikelnummer

BUK7Y9R9-80EX
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BUK7Y9R9-80EX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

LFPAK56, Power-SO8
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

98 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

195W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Andere Namen

1727-1489-6
568-10969-6
568-10969-6-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

498pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 89A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

89A (Tc)

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2024/10/9

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Das Folgende sind "BUK7Y9R9-80EX" -Einziper.

BUK7Y6R0-60EX

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK

Hersteller: Nexperia

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