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6886535BAS31,235-Bild.Nexperia

BAS31,235

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS31,235
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    90V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-236AB (SOT23)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    1727-5447-2
    568-6918-2
    568-6918-2-ND
    933723190235
    BAS31 /T3
    BAS31 /T3-ND
    BAS31,235-ND
    BAS31235
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Avalanche
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Series Connection
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Series Connection Avalanche 90V 250mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 90V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    250mA (DC)
  • Basisteilenummer
    BAS31
BAS316/ZLX

BAS316/ZLX

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BAS3010A03WE6327HTSA1

BAS3010A03WE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BAS3010B03WE6327HTSA1

BAS3010B03WE6327HTSA1

Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies
vorrätig
BAS316Z

BAS316Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SC76-2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS3020BH6327XTSA1

BAS3020BH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOT363-6

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BAS31-D87Z

BAS31-D87Z

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS316,115

BAS316,115

Beschreibung:

Hersteller: NXP Semiconductors
vorrätig
BAS316 RRG

BAS316 RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250MA SOD323

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS316/ZLF

BAS316/ZLF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BAS29_S00Z

BAS29_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS316,135

BAS316,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS316-TP

BAS316-TP

Beschreibung:

Hersteller: MCC
vorrätig
BAS3005S02LRHE6327XTSA1

BAS3005S02LRHE6327XTSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA TSLP-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BAS3005B02VH6327XTSA1

BAS3005B02VH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BAS316,H3F

BAS316,H3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
BAS316WS RRG

BAS316WS RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250MA SOD323F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS3007ARPPE6327HTSA1

BAS3007ARPPE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE BRIDGE 30V 900MA SOT143

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BAS3005A02VH6327XTSA1

BAS3005A02VH6327XTSA1

Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies
vorrätig
BAS31

BAS31

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS31,215

BAS31,215

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia
vorrätig

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