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BAS21,215

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    BAS21,215
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    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-236AB (SOT23)
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    1727-2889-1
    568-1598-1
    568-1598-1-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 200mA (DC) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    BAS21

Überblick

BAS21,215 Überblick

BAS21,215 Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode |Futuretech-Komponenten


Die BAS21.215 ist eine schnell schaltende Hochspannungsdiode von Nexperia, die für Hochgeschwindigkeits-Signalverarbeitungs- und Schutzanwendungen entwickelt wurde.Es ist bei Futuretech Components erhältlich und gewährleistet eine echte Beschaffung und stabile Qualität für Ihre kritischen Designs.


BAS21.215 FAQ

Was ist BAS21.215?

Die BAS21.215 ist eine Kleinsignal-Hochspannungsschaltdiode mit einer Sperrspannung von bis zu 250 V und geringer Kapazität, wodurch sie für Hochfrequenzanwendungen geeignet ist.Es wird von Nexperia hergestellt und bietet zuverlässige Leistung in der Signalverarbeitung, in analogen Schaltkreisen und in Hochgeschwindigkeitsschaltumgebungen.

Wie funktioniert BAS21.215?

Diese Diode funktioniert, indem sie den Stromfluss in eine Richtung zulässt und ihn in der umgekehrten Richtung blockiert.Mit seiner niedrigen Sperrschichtkapazität (ca. 2 pF) und der schnellen Sperrverzögerungszeit (typischerweise 50 ns) gewährleistet der BAS21.215 eine präzise Signalsteuerung und minimale Signalverzerrung – ideal für Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeits-Elektroniksysteme.


Welche Paket- und Pin-Konfiguration hat BAS21.215?

Der BAS21.215 ist in einem SOT-23-Gehäuse untergebracht, das üblicherweise für oberflächenmontierte Komponenten verwendet wird.Es verfügt über drei Pins, die wie folgt konfiguriert sind:
A1, A2 – Anoden
K – Kathode
Dieses kompakte Paket ermöglicht eine effiziente PCB-Nutzung und Kompatibilität mit automatisierten Montageprozessen.

Was sind die Vorteile und Einschränkungen von BAS21.215?

Vorteile:
Hohe Sperrspannung (bis zu 250 V)
Geringe Kapazität (~2 pF), geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltungen
Schnelle Rückwärtswiederherstellung (~50 ns) für verbesserte Signalintegrität
Zuverlässiger Betrieb in Schalt- und Schutzschaltungen
Kompaktes SOT-23-Gehäuse zur Oberflächenmontage

Nachteile:
Nicht für Hochstrom- oder Leistungsgleichrichtungsanwendungen geeignet
Begrenzte Strombelastbarkeit (ca. 200 mA Dauerstrom)

Welche Alternativen gibt es zu BAS21.215?

Zu den gleichwertigen oder vergleichbaren Optionen gehören:
BAV21 (ON Semiconductor / Diodes Inc.)
1N4148W (Dioden Inc.)
MMBD4148 (ON Semiconductor)
Diese Dioden bieten ähnliche Schalteigenschaften, Nennspannungen und Gehäusetypen, sodass sie für Querverweise oder Ersatz geeignet sind.

Was sind die häufigsten Anwendungen von BAS21.215?

Der BAS21.215 wird häufig in Hochgeschwindigkeitsschaltkreisen, Signalklemm- und Schutznetzwerken, Analog- und HF-Schaltkreisen, Spannungsvervielfacherstufen sowie Prüf- und Messgeräten eingesetzt.Seine schnelle Schaltgeschwindigkeit und Hochspannungsfähigkeit machen ihn zu einer zuverlässigen Wahl für Präzisions- und Hochfrequenz-Elektroniksysteme.

Abschluss

Verifizierte und authentische Nexperia BAS21.215-Dioden erhalten Sie direkt von Futuretech Components – Ihrem vertrauenswürdigen Distributor hochwertiger elektronischer Komponenten mit globaler Lieferzuverlässigkeit.Futuretech Components bietet schnelle Lieferung und zuverlässige Beschaffung in ganz Südostasien, Europa und Nordamerika.

BAS21,215 Überblick

BAS21,215 Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode |Futuretech-Komponenten


Die BAS21.215 ist eine schnell schaltende Hochspannungsdiode von Nexperia, die für Hochgeschwindigkeits-Signalverarbeitungs- und Schutzanwendungen entwickelt wurde.Es ist bei Futuretech Components erhältlich und gewährleistet eine echte Beschaffung und stabile Qualität für Ihre kritischen Designs.


BAS21.215 FAQ

Was ist BAS21.215?

Die BAS21.215 ist eine Kleinsignal-Hochspannungsschaltdiode mit einer Sperrspannung von bis zu 250 V und geringer Kapazität, wodurch sie für Hochfrequenzanwendungen geeignet ist.Es wird von Nexperia hergestellt und bietet zuverlässige Leistung in der Signalverarbeitung, in analogen Schaltkreisen und in Hochgeschwindigkeitsschaltumgebungen.

Wie funktioniert BAS21.215?

Diese Diode funktioniert, indem sie den Stromfluss in eine Richtung zulässt und ihn in der umgekehrten Richtung blockiert.Mit seiner niedrigen Sperrschichtkapazität (ca. 2 pF) und der schnellen Sperrverzögerungszeit (typischerweise 50 ns) gewährleistet der BAS21.215 eine präzise Signalsteuerung und minimale Signalverzerrung – ideal für Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeits-Elektroniksysteme.


Welche Paket- und Pin-Konfiguration hat BAS21.215?

Der BAS21.215 ist in einem SOT-23-Gehäuse untergebracht, das üblicherweise für oberflächenmontierte Komponenten verwendet wird.Es verfügt über drei Pins, die wie folgt konfiguriert sind:
A1, A2 – Anoden
K – Kathode
Dieses kompakte Paket ermöglicht eine effiziente PCB-Nutzung und Kompatibilität mit automatisierten Montageprozessen.

Was sind die Vorteile und Einschränkungen von BAS21.215?

Vorteile:
Hohe Sperrspannung (bis zu 250 V)
Geringe Kapazität (~2 pF), geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltungen
Schnelle Rückwärtswiederherstellung (~50 ns) für verbesserte Signalintegrität
Zuverlässiger Betrieb in Schalt- und Schutzschaltungen
Kompaktes SOT-23-Gehäuse zur Oberflächenmontage

Nachteile:
Nicht für Hochstrom- oder Leistungsgleichrichtungsanwendungen geeignet
Begrenzte Strombelastbarkeit (ca. 200 mA Dauerstrom)

Welche Alternativen gibt es zu BAS21.215?

Zu den gleichwertigen oder vergleichbaren Optionen gehören:
BAV21 (ON Semiconductor / Diodes Inc.)
1N4148W (Dioden Inc.)
MMBD4148 (ON Semiconductor)
Diese Dioden bieten ähnliche Schalteigenschaften, Nennspannungen und Gehäusetypen, sodass sie für Querverweise oder Ersatz geeignet sind.

Was sind die häufigsten Anwendungen von BAS21.215?

Der BAS21.215 wird häufig in Hochgeschwindigkeitsschaltkreisen, Signalklemm- und Schutznetzwerken, Analog- und HF-Schaltkreisen, Spannungsvervielfacherstufen sowie Prüf- und Messgeräten eingesetzt.Seine schnelle Schaltgeschwindigkeit und Hochspannungsfähigkeit machen ihn zu einer zuverlässigen Wahl für Präzisions- und Hochfrequenz-Elektroniksysteme.

Abschluss

Verifizierte und authentische Nexperia BAS21.215-Dioden erhalten Sie direkt von Futuretech Components – Ihrem vertrauenswürdigen Distributor hochwertiger elektronischer Komponenten mit globaler Lieferzuverlässigkeit.Futuretech Components bietet schnelle Lieferung und zuverlässige Beschaffung in ganz Südostasien, Europa und Nordamerika.
BAS21-G3-18

BAS21-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS21-HE3-18

BAS21-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS20W RVG

BAS20W RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS20HT1G

BAS20HT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS21-E3-08

BAS21-E3-08

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS21-TP

BAS21-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
BAS20W-7

BAS20W-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS20W-7-F

BAS20W-7-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS20LT3G

BAS20LT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS21-7-F

BAS21-7-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS21-7

BAS21-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS21-E3-18

BAS21-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS20LT1

BAS20LT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS20WT-TP

BAS20WT-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
BAS21,235

BAS21,235

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS21 RFG

BAS21 RFG

Beschreibung:

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS20LT1G

BAS20LT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS21-G3-08

BAS21-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS21

BAS21

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS21-HE3-08

BAS21-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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