PHX23NQ11T,127

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Spezifikation

Artikelnummer

PHX23NQ11T,127
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHX23NQ11T,127.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)

41.6W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Andere Namen

934058493127
PHX23NQ11T
PHX23NQ11T-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

110V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 110V 16A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Tc)

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Das Folgende sind "PHX23NQ11T,127" -Einziper.

PHX27NQ11T,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

PHX23NQ11T,127

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