PHU66NQ03LT,127

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Spezifikation

Artikelnummer

PHU66NQ03LT,127
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 66A SPT533
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHU66NQ03LT,127.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

93W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen

934058327127
PHU66NQ03LT
PHU66NQ03LT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 66A (Tc) 93W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

66A (Tc)

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Das Folgende sind "PHU66NQ03LT,127" -Einziper.

PHU.2M.319.XLMT

Beschreibung: CONN INLINE RCPT

Hersteller: LEMO

vorrätig

PHU66NQ03LT,127

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