PHD63NQ03LT,118

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Spezifikation

Artikelnummer

PHD63NQ03LT,118
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHD63NQ03LT,118.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

111W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

934057020118
PHD63NQ03LT/T3
PHD63NQ03LT/T3-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 68.9A (Tc) 111W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

68.9A (Tc)

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Das Folgende sind "PHD63NQ03LT,118" -Einziper.

PHD34NQ10T,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

PHD63NQ03LT,118

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