PHB129NQ04LT,118

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Spezifikation

Artikelnummer

PHB129NQ04LT,118
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHB129NQ04LT,118.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±15V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

200W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

568-2184-2
934058554118
PHB129NQ04LT /T3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3965pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.2nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 75A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

75A (Tc)

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Das Folgende sind "PHB129NQ04LT,118" -Einziper.

PHB.4K.320.CYMK22

Beschreibung: CONN RCPT FMALE 20POS GOLD CRIMP

Hersteller: LEMO

vorrätig

PHB129NQ04LT,118

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