PDTB113ZS,126

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTB113ZS,126
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTB113ZS,126.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

TO-92-3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen

934059146126
PDTB113ZS AMO
PDTB113ZS AMO-ND
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA
Basisteilenummer

PDTB113

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Das Folgende sind "PDTB113ZS,126" -Einziper.

PDTB113EUX

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.425W

Hersteller: Nexperia

vorrätig

PDTB113ZS,126

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