PBRN123ES,126

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Spezifikation

Artikelnummer

PBRN123ES,126
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PBRN123ES,126.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.15V @ 8mA, 800mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

TO-92-3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

700mW
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen

934059134126
PBRN123ES AMO
PBRN123ES AMO-ND
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

280 @ 300mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

800mA
Basisteilenummer

PBRN123

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Das Folgende sind "PBRN123ES,126" -Einziper.

PBRC8.00MR10X000

Beschreibung: CERAMIC RESONATOR 8MHZ 15PF SMD

Hersteller: AVX Corporation

vorrätig

PBRN123ES,126

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