AFT18P350-4S2LR6

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Spezifikation

Artikelnummer

AFT18P350-4S2LR6
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AFT18P350-4S2LR6.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Prüfung

28V
Spannung - Nennwert

65V
Transistor-Typ

LDMOS (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

NI-1230-4LS2L
Serie

-
Leistung

63W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

NI-1230-4LS2L
Andere Namen

935317727128
Rauschmaß

-
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen

16.1dB
Frequenz

1.81GHz
detaillierte Beschreibung

RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1A 1.81GHz 16.1dB 63W NI-1230-4LS2L
Aktuelle Bewertung

-
Strom - Test

1A

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Das Folgende sind "AFT18P350-4S2LR6" -Einziper.

AFT18HW355SR5

Beschreibung: FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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