Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-RF > A2V07H400-04NR3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1812106

A2V07H400-04NR3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
250+
$104.106
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    A2V07H400-04NR3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Prüfung
    48V
  • Spannung - Nennwert
    105V
  • Transistor-Typ
    LDMOS (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    OM-780-4L
  • Serie
    -
  • Leistung
    267W
  • Verpackung / Gehäuse
    OM-780-4L
  • Andere Namen
    935357276528
  • Rauschmaß
    -
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    19.9dB
  • Frequenz
    595MHz ~ 851MHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet LDMOS (Dual) 48V 700mA 595MHz ~ 851MHz 19.9dB 267W OM-780-4L
  • Aktuelle Bewertung
    10µA
  • Strom - Test
    700mA
PTFB092707FH-V1-R250

PTFB092707FH-V1-R250

Beschreibung: IC AMP RF LDMOS

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
ARF463AP1G

ARF463AP1G

Beschreibung: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
A2V09H300-04NR3

A2V09H300-04NR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BLF6G38LS-50,112

BLF6G38LS-50,112

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PTFC262157FH-V1-R250

PTFC262157FH-V1-R250

Beschreibung: IC AMP RF LDMOS

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
BLF544,112

BLF544,112

Beschreibung: RF FET NCHA 65V 7DB SOT171A

Hersteller: Ampleon
vorrätig
ATF-53189-TR2

ATF-53189-TR2

Beschreibung: IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA SOT-89

Hersteller: Avago Technologies (Broadcom Limited)
vorrätig
J309

J309

Beschreibung: JFET N-CH 25V 30MA TO92

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
BLF3G21-30,112

BLF3G21-30,112

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C

Hersteller: Ampleon
vorrätig
MRF8S9260HR5

MRF8S9260HR5

Beschreibung: FET RF 70V 960MHZ NI-880H

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6

Beschreibung: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BLC8G24LS-240AVY

BLC8G24LS-240AVY

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521

Hersteller: Ampleon
vorrätig
MRF6S21190HSR3

MRF6S21190HSR3

Beschreibung: FET RF 68V 2.17GHZ NI880S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
475-102N21A-00

475-102N21A-00

Beschreibung: RF MOSFET N-CHANNEL DE475

Hersteller: IXYS RF
vorrätig
MRF8S18260HSR6

MRF8S18260HSR6

Beschreibung: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PTFB091802FC-V1-R250

PTFB091802FC-V1-R250

Beschreibung: IC AMP RF LDMOS

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6

Beschreibung: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
2SK209-BL(TE85L,F)

2SK209-BL(TE85L,F)

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
CGHV1J070D-GP4

CGHV1J070D-GP4

Beschreibung: RF MOSFET HEMT 40V DIE

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden