Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-RF > A2G22S160-01SR3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2167680

A2G22S160-01SR3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
250+
$115.148
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    A2G22S160-01SR3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC TRANS RF LDMOS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Prüfung
    48V
  • Spannung - Nennwert
    125V
  • Supplier Device-Gehäuse
    NI-400S-240
  • Serie
    -
  • Leistung
    32W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    NI-400S-240
  • Andere Namen
    935312929118
  • Rauschmaß
    -
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    19.6dB
  • Frequenz
    2.11GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet 48V 150mA 2.11GHz 19.6dB 32W NI-400S-240
  • Aktuelle Bewertung
    -
  • Strom - Test
    150mA
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BLF8G22LS-220J

BLF8G22LS-220J

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BF 5030R E6327

BF 5030R E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143R

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
PTFB212503EL-V1-R0

PTFB212503EL-V1-R0

Beschreibung: IC AMP RF LDMOS H-33288-6

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
ARF1505

ARF1505

Beschreibung: RF PWR MOSFET 300V 25A DIE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
VRF151G

VRF151G

Beschreibung: MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208

Hersteller: Microsemi
vorrätig
A2G26H280-04SR3

A2G26H280-04SR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
2N5951

2N5951

Beschreibung: JFET N-CH 30V 13MA TO92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
MRF8P20140WGHSR3

MRF8P20140WGHSR3

Beschreibung: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BF256B_J35Z

BF256B_J35Z

Beschreibung: JFET N-CH 30V 13MA TO92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MRFE6VP8600HR6

MRFE6VP8600HR6

Beschreibung: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
MRF7S38010HSR3

MRF7S38010HSR3

Beschreibung: FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BLF888DU

BLF888DU

Beschreibung: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A

Hersteller: Ampleon
vorrätig
A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
ARF449AG

ARF449AG

Beschreibung: RF PWR MOSFET 450V TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
A2G22S251-01SR3

A2G22S251-01SR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
PD55015-E

PD55015-E

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
BLP8G10S-45PY

BLP8G10S-45PY

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BSS83,215

BSS83,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden