SG2013J-883B

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Spezifikation

Artikelnummer

SG2013J-883B
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

SG2013J-883B.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.9V @ 600µA, 500mA
Transistor-Typ

7 NPN Darlington
Supplier Device-Gehäuse

16-CDIP
Serie

-
Leistung - max

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

-
Andere Namen

1259-1108
1259-1108-MIL
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

900 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

600mA

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Das Folgende sind "SG2013J-883B" -Einziper.

ELM203200

Beschreibung: CONN TERM BLK 20POS 5.08MM ANGLE

Hersteller: Amphenol Pcd

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Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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