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MDS1100

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MDS1100
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    65V
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    55TU-1
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    8750W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    55TU-1
  • Betriebstemperatur
    200°C (TJ)
  • Rauschzahl (dB Typ @ f)
    -
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    8.9dB
  • Frequenz - Übergang
    1.03GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    20 @ 5A, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100A
MS3475W20-16BX

MS3475W20-16BX

Beschreibung: CONN PLG HSG FMALE 16POS INLINE

Hersteller: Amphenol Aerospace Operations
vorrätig
9C04021A4702JLHF3

9C04021A4702JLHF3

Beschreibung: RES SMD 47K OHM 5% 1/16W 0402

Hersteller: Yageo
vorrätig

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