JANTXV2N6058

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTXV2N6058
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTXV2N6058.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

80V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 120mA, 12A
Transistor-Typ

NPN - Darlington
Supplier Device-Gehäuse

TO-3 (TO-204AA)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/502
Leistung - max

150W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-3
Andere Namen

1086-21082
1086-21082-MIL
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

1000 @ 6A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

12A

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "JANTXV2N6058" -Einziper.

SIT9005AIR2H-18NK

Beschreibung: OSC MEMS

Hersteller: SiTime

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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