JANTXV2N3960UB

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTXV2N3960UB
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 12V UB
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTXV2N3960UB.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

12V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 3mA, 30mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

UB
Serie

Military, MIL-PRF-19500/399
Leistung - max

400mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

3-SMD, No Lead
Andere Namen

1086-20943
1086-20943-MIL
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 400mW Surface Mount UB
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

60 @ 10mA, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)

10µA (ICBO)

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Das Folgende sind "JANTXV2N3960UB" -Einziper.

JANTXV2N3868

Beschreibung: DIODE

Hersteller: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)

vorrätig

JANTXV2N3960UB

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