JANTXV2N3810

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTXV2N3810
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTXV2N3810.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA
Transistor-Typ

2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

TO-78-6
Serie

Military, MIL-PRF-19500/336
Leistung - max

350mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-78-6 Metal Can
Andere Namen

1086-3086
1086-3086-MIL
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

23 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

150 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

50mA

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JANTXV2N3811L

Beschreibung: TRANS 2PNP 60V 0.05A

Hersteller: Microsemi

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