JANTXV2N3485A

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTXV2N3485A
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 60V 0.6A
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTXV2N3485A.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

TO-46 (TO-206AB)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/392
Leistung - max

400mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Andere Namen

1086-20815
1086-20815-MIL
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

23 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 400mW Through Hole TO-46 (TO-206AB)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

40 @ 150mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

600mA

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Das Folgende sind "JANTXV2N3485A" -Einziper.

JANTXV2N3501

Beschreibung: TRANS NPN 150V 0.3A

Hersteller: Microsemi

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