JANTXV2N3057A

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTXV2N3057A
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 80V 1A
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTXV2N3057A.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

80V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-46-3
Serie

Military, MIL-PRF-19500/391
Leistung - max

500mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Andere Namen

1086-3071
1086-3071-MIL
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

23 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 500mW Through Hole TO-46-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

50 @ 500mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

10nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

1A

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Das Folgende sind "JANTXV2N3057A" -Einziper.

JANTXV2N2919U

Beschreibung: TRANS 2NPN 60V 0.03A

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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