Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JANTXV1N6624U
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
7009765

JANTXV1N6624U

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6624U
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    D-5A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-19972
    1086-19972-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    50ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JANTXV1N6624U
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 900V 1A Surface Mount D-5A
  • Diodenkonfiguration
    500nA @ 900V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.55V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    900V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C
JANTXV1N6625U

JANTXV1N6625U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JANTXV1N6623U

JANTXV1N6623U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JANTXV1N6625US

JANTXV1N6625US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6624US

JANTXV1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6622US

JANTXV1N6622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6625

JANTXV1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6626

JANTXV1N6626

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6621US

JANTXV1N6621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6622

JANTXV1N6622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6623

JANTXV1N6623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6626US

JANTXV1N6626US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6627U

JANTXV1N6627U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6627US

JANTXV1N6627US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6621U

JANTXV1N6621U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JANTXV1N6623US

JANTXV1N6623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6626U

JANTXV1N6626U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JANTXV1N6627

JANTXV1N6627

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6621

JANTXV1N6621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6624

JANTXV1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N6622U

JANTXV1N6622U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden