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JANTXV1N5615

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N5615
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Andere Namen
    1086-2825
    1086-2825-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    45pF @ 12V, 1MHz
JANTXV1N5614

JANTXV1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5612

JANTXV1N5612

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5618US

JANTXV1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5617

JANTXV1N5617

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5613

JANTXV1N5613

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5614US

JANTXV1N5614US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5611

JANTXV1N5611

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5619

JANTXV1N5619

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5616

JANTXV1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5556

JANTXV1N5556

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5616US

JANTXV1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5554

JANTXV1N5554

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5554US

JANTXV1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JANTXV1N5555

JANTXV1N5555

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5620

JANTXV1N5620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5618

JANTXV1N5618

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5617US

JANTXV1N5617US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5619US

JANTXV1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5558

JANTXV1N5558

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JANTXV1N5615US

JANTXV1N5615US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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