JANTX2N5416S

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTX2N5416S
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 300V 1A TO-39
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTX2N5416S.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

300V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

TO-39
Serie

Military, MIL-PRF-19500/485
Leistung - max

750mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Andere Namen

1086-15526
1086-15526-MIL
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 750mW Through Hole TO-39
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 50mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

1A

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Das Folgende sind "JANTX2N5416S" -Einziper.

PE-50503NL

Beschreibung: FIXED IND 500UH 1.75A 350 MOHM

Hersteller: Pulse Electronics Corporation

vorrätig

RFQ

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Stal***e

2025/05/20

5.0

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