JANTX2N5013S

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTX2N5013S
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PNP TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS Status

RoHS nicht konform
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

800V
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-39 (TO-205AD)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/727
RoHS-Status

RoHS non-compliant
Leistung - max

1W
Verpackung / Gehäuse

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 20mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

10nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

200mA

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Das Folgende sind "JANTX2N5013S" -Einziper.

JANTX2N4957

Beschreibung: TRANS PNP 30V 30MA TO72

Hersteller: Microsemi

vorrätig

JANTX2N5013S

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