JANTX2N2907AUB/TR

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Spezifikation

Artikelnummer

JANTX2N2907AUB/TR
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

SMALL-SIGNAL BJT
Bleifreier Status / RoHS Status

RoHS nicht konform
Datenblätte

JANTX2N2907AUB/TR.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

UB
Serie

Military, MIL-PRF-19500/291
RoHS-Status

RoHS non-compliant
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-SMD, No Lead
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Surface Mount UB
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

50nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

600mA

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Das Folgende sind "JANTX2N2907AUB/TR" -Einziper.

JANTX2N2945A

Beschreibung: TRANS PNP 20V 0.1A TO-46

Hersteller: Microsemi

vorrätig

JANTX2N2907AUB/TR

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